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设备之半导体行业的重中之重芯片能有多快多省电取决于工艺制程
发布时间: 2022-09-28 10:25:35 来源:华体会体育app下载苹果 作者:华体会app下载大厅

  的一个分支,本质上仍是制造业。和互联网行业的不同是,半导体行业仍然需要制造设备和厂房,有具体的产品生产出来,需要设计、生产、封装、

  产业链上游是电子自动化设计(EDA软件供应商和集成电路设计公司。EDA公司主要有三家Synopsys、CadenceMentor,三家公司的擅长领域不同,但是业务也有交叉,国内厂商有华大九天。设计公司有英特尔高通联发科博通等,国内设计公司有华为海思、紫光展锐和汇顶科技等。

  产业链中游由以晶圆制造商为核心的众多企业组成。知名的晶圆制造商有英特尔、三星、台积电、格罗方德和中芯国际,这些制造商需要从设备制造商那里买入设备,还需要从其他原材料厂商那里购入制造芯片所用到的消耗性材料。购入的设备中主要包括光刻机、刻蚀设备和沉积设备;购入的原材料主要包括了单晶硅、光刻胶、湿电子化学品、特种气体等。等芯片生产出来之后再交由封装测试厂商对芯片进行测试和包装。封装企业代表性的有日月光、安靠和国内的长电科技、通富微电和天水华天。

  下游企业都是大众接触最广泛的公司,包含了手机厂商苹果、三星、华为等,汽车领域的特斯拉、比亚迪,个人电脑领域的联想、惠普等,另外还有物联网、医疗电子等应用领域。

  设备之半导体行业的重中之重,芯片能有多快多省电取决于工艺制程,工艺制程取决于设备。

  一、摩尔定律逐渐接近极限,集成电路技术走向成熟,行业走向成熟,成本和服务将决定成熟行业的核心竞争力

  迈克尔波特提出,行业走向成熟的过程中,成本和服务将成为行业的核心竞争力。

  英特尔(INTEL)创始人之一戈登摩尔在1965年提出:当价格不变时,集成电路上课容纳的元器件数目,约每隔18-24个月便会增加一倍,性能也将提升一倍。简单来说就是大约两年之后,消费者可以以同样的价格买到性能是今天两倍的芯片。在过去的四十年时间内集成电路行业的发展一直遵循着摩尔定律,但是它不可能永远持续下去,近些年就已经有技术更新周期放缓的现象。

  可以观察得到的事实是台积电28nm制程2011年量产,16nm制程2015年量产;7nm在2018年量产,期间还有20nm和12nm10nm等升级版过度制程。先进制程更新周期已经由最初的18个月,到2年,现在放缓至3年左右,未来5nm甚至3nm或许需要更长的时间。

  光刻机市场在2000年之前一直有三家供应商,分别是尼康、佳能和阿斯麦。现在20nm以下制程只剩下阿斯麦一家独大,另外两家由于研发和盈利的压力纷纷放弃研制最新光刻机技术。剩下阿斯麦占据整个光刻市场的80%。

  这些迹象表明集成电路制造工艺上的进步已经越来越难,集成电路行业正在从成长型向成熟型转化。行业走向成熟的过程中,成本和服务将成为行业的核心竞争力。

  以已经成熟的传统汽车行业为例,2004年波导从南汽集团撤资,而在一年之前其以1亿多人民币,获得58%股份控制南汽集团无锡汽车车身有限公司。短短一年时间前后反差如此之大,正是因为错误制定行业竞争战略。不可否认在2004年左右中国汽车行业仍是一个朝阳性产业,产业发展速度惊人,中国巨大的人口和潜在的巨大需求量一直是支撑产业发展的巨大动力,而在一个高速增粘的产业,一个企业只要伴随着产业“共同进步”就可以了,并不需要付出太多的努力。这也许是波导进入汽车行业的初衷,但随着汽车行业竞争的白热化,不管是美国汽车巨头通用汽车和福特汽车,还是德国的大众和奔驰,以及注重成本优势的日本丰田、本田汽车,以及本土汽车企业都加强了在中国市场的竞争力度,使得中国汽车行业暴利的泡沫褪去不少。对那时的汽车行业的企业来说汽车行业慢速增长,客户有这多年积累的知识和经验,以及技术更为成熟,这些因素带来的结果是竞争趋势变得倾向于成本导向和服务导向。这种发展改变了市场对企业在行业中取得成功的要求。

  这一点和过去三四十年集成电路的进步十分近似,芯片的性能主要取决于设计技术和制造技术。近二十年来芯片一直在随着制造技术的进步而进步,设计技术并没有很大的更新,PC芯片仍旧是以INTEL为首的X86架构,采用复杂计算机指令集(CISC),移则是以ARM架构为首,采用精简计算机指令集(RISC)。而制造技术取决于制造设备的技术进步,如今设备进步已经趋近于半导体物理极限,据专家预测,半导体芯片制程工艺的物理极限为2-3nm,以此推算,摩尔定律似乎也只能再“存活”10年之久。

  慢速增长、更多有知识的客户再加上技术更为成熟,这些因素导致的结果是,竞争趋势变得更加成本导向和服务导向。伴随着产品标准化、日益强调的成本和技术成熟,产业转化常常出现明显的国际化竞争。

  在国际化竞争中,国内企业的劣势是起步晚,但是从后面的分析中我们可以看到其实公司间差距正在逐年缩小,现在差距已经在2-3年左右.而其优势是(1)低研发成本、制造成本和技术支持成本(2)所有研发人员、技术支持人员都在国内,可以提供更及时、成本更低的现场技术支持(3)研发人员更加接近国内市场,了解客户需求,提供定制化服务

  所有的国际设备厂商在中国都有办事处,主要负责各个生产线的设备销售和技术支持工作,并不涉及研发和制造。众所周知在ICT行业一个硕士毕业生在国内一年的待遇在20-40万人民币之间,而在美国等发达国家这个数字就要提高到8-10万美元,足足是国内的两倍有余。设备巨头ASML每年的研发费用占到营业收入的10%-15%之间,近年来由于制程越来越先进,这一数字还有上升趋势。制造中原材料成本占比营业成本的50%-60%,。试想未来在设备更新变慢的情形,我们在人工研发费用上的绝对成本优势,和原材料价格上的绝对优势,那时国产半导体设备将会大放异彩。

  国外公司服务费用高昂已经成为国内企业的共识,对此,国内企业可以凭借提供更及时、收费更低的售后服务本土优势,提高下游客户对公司的黏性和满意度。未来公司应在持续进行市场拓展的基础上,着力建设和完善大客户的服务体系。具体举措包括针对特定关键大客户量身定做服务方案,在国内集成电路产业聚集地区建立综合性的工艺技术支持中心,实现人员和技术的快速响应,为客户提供更完善、更便捷、更及时的增值服务等。

  在那些产业竞争要求密集的本地化营销服务或者密集的客户往来的市场上,全球性企业将发现在整合后的、全球化的的基础上与当地竞争对手的竞争是非常棘手的。虽然全球性企业勊以分散化的单位来实现对客户的服务,但实施中,管理任务归于庞大,而是当地企业对客户提出的服务要求反应更加灵敏。

  先进的制程不可能是由设备厂家单独完成的,而是设备和制造厂家共同研发攻关的结果。国产设备的研发人就在国内,而国际厂商做不到这一点,国际厂商的技术支持工作人员除了提供技术支持之外,还需要将遇到的问题发聩给本公司的研发人员,以供其改进优化设备。所以我们国内常上更加接近我们的客户,更加了解国内生产线的客户需求。

  值得注意的是,传统的企业竞争模型中只提到了企业和五种力量之间的竞争,却没有考虑这些企业之间的合作。在有些环境下这些企业既有竞争关系,又有合作关系。如果一种产品或者服务能让另一种产品或者服务更加有吸引力,那么他们就可以被称为互补的产品或者服务,同时这两个企业的关系就从竞争变化成为合作竞争。如何分辨两个企业是否形成合作竞争关系呢?一般来说,如果顾客在同时拥有两个公司的产品时比单独拥有一个公司的产品时所获的价值要高,或者成本要低,那么这两个公司就是互补者。

  成功的案例有:上世纪,汽车是一种很昂贵的产品,消费者几时想买也没有足够的现钱。这时候银行业信用机构就成为了企业公司的互补者,这些机构给消费者贷款,让他们有钱买汽车。但是汽车贷款也不是那么容易就获得的,于是通用汽车公司在1919年成立了通用汽车承兑公司,福特公司在1959年成立了福特贷款机构,让消费者可以更方便、更容易地获得贷款。这样做的好处显而易见:便捷的贷款是人民能够购买更多的汽车,而对汽车需求的增长又促进了福特公司和通用汽车公司的贷款业务。

  互补竞争关系中的两个企业哪怕技术落后,也会取得一定的优势,那些没有合作伙伴的企业哪怕有技术优势也不一定就能获得成功。比如索尼在1975年推出的Betamax格式录像机,一度是电视机记录领域的霸主,美国多久,日本JVC公司研发了VHS格式录像机,虽然Betamax在技术上的某些方面比VHS强大,但是Betamax格式录像机可租借的影片太少,最后落败,市场份额被JVC占据60%。

  国产设备+中芯国际 中国设备与中国制造合作,为进一步赢得国际市场打下基础

  AMAT 曾借助与台积电、Intel 等晶圆厂的合作取得技术突破。国内企业则可以与中芯国际深度合作,共同推动国产设备发展。举个例子:中芯国际和北方华创都是国内企业,想要在国际市场上发挥更大的作用就要互相支持帮助,北方华创可以为中心国际提供低成本的设备和更好的服务,而反过来中芯国际稳定的制造工艺可以为北方华创带来产品验证支持和广告效应(优质客户的身份还会潜在地为公司销售设备到来广告效应,这是应为半导体设备价格昂贵,所以晶圆制造厂商在扩充产线是往往会偏好选择已经通过国际大厂商产线验证的设备企业)。

  如今,部分设备厂商与中芯国际的合作领域已经不仅仅局限于设备的验证阶段,为加快半导体产线的国产化替代进程,在前期研发的过程中,上下游厂商便已经开始合作。也正是因为中芯国际等晶圆代工厂的鼎力相助,国产设备能够在短期内实现多项技术突破,进入国内先进晶圆代工厂甚至是国际厂商的供应链体系,加快设备的国产化替代进程。

  回顾AMAT成长历史,从1972年纳斯达克上市之初营收为630万美元,市值仅有300万美元,到52年之后的今天营收170亿美元,市值410多亿。一路走来AMAT经历了4个主要阶段:初创期、成长期、并购调整期和研发领跑期。其中,决定其生死存亡和实现巨大发展的时期是前两个时期。

  (1)初创期,1967-1979年,AMAT最开始的主要业务是为半导体生产厂商提供所需的原材料,但是由于产品种类多,造成战线年新任CEO Morga进行了一系列大刀阔斧的改革,精简产线、关停或者卖掉一些部门,集中精力进行半导体设备生产,这些措施效果明显,企业度过了危机。

  (2)成长期,1979-1996年,上世纪70念叨,全球半导体产业开始了向美国以外的市场进行转移,首先是日本,然后是韩国还***。1977年Morga在参加了日本半导体设备展览之后返航的飞机上就做出了进入日本市场的据决定。之后于1985年和1989年分别在韩国和***设立办事处。近20年在全球范围内的布局,使得公司的1996年实现了营业收入41.15亿美元。

  1980年工程师David K. Lam创立,这一举动还得到了Intel传世人Bob Noyce的资助。第一台设备于1982年售出,1984年公司在纳斯达克IPO。现在总市值接近300亿美元,2018年营业收入48亿美元。

  它并没有经历应用材料初创期半导体市场那样的角逐。创立第一年就吸引到了80万美元的投资,第三年已经有了稳定的现金流,出生在80年代的它正处于半导体市场从美国向海外转移的阶段。除了当时LAM在当时的半导体设备企业中已经很有竞争力之外,它的成功还要归功于80年代日本半导体行业对设备的巨大需求。当时半导体产品被用在了除了个人PC之外,还有手机、立体声音响(功率放大)、汽车和电话上。

  事情并不总是一帆风顺,80年代中后期LAM 陷入艰难的时期。尽管市场对半导体设备的需求仍旧持续增长,但是日本企业已经从的技术引进、消化吸收变得逐渐强大起来。日本在70年代后期从零开始,80年代中期已经占据了全球设备销售额的50%。之后美国半导体设备企业进行业务重组等改革,提高生产效率,并且更加集中精力研发大容量设备,更加注重可以申请专利的技术的研发。

  在当时,富有前瞻性的LAM管理层注意到了新兴小市场的销售增长,80年代后期到90前期便开始了更加广泛的全球布局,这一时期重点在环太平洋和欧洲市场,海外营收占比达到50%以上。在日本和Sumitomo Metal Industries, Ltd. (SMI)共同研发刻蚀机,并成立全子公司:LAM 科技中心;80年代中期在***和韩国成立客户支持中心;等到90年代初LAM还看到了中国、马来西亚和以色列的成长机会。并且考虑建立研发中心。

  巨头的成长离不开两次产业转移。一次是20世纪70-80年代,日本凭借在工业级DRAM产品的高可靠性和美国的技术支持,实现了快速发展,在DRAM市场市占率近80%,在半导体市场市占率接近50%。另一次是20世纪80-90年代,韩国通过技术引进成为个人电脑DRAM的主要供应商,***则通过在垂直分工领域晶圆代工和芯片封测的龙头。

  AMAT层先后在日本、韩国、***、东南亚和欧洲等时间范围内广泛设立公司机构,抢先占领市场。高校方面,与新加坡科技研究局连个投资先后设立多个研发实验室,与亚利桑那州立大学共同开发用于软性显示器的薄膜晶体管技术。企业方面,2001与台积电共同研究使用黑钻石方案站在出0.1um级晶体管,将0.13um芯片的技术节点向前推进。2003年携手ARM和台积电共同开发90nm低功耗芯片设计技术,是芯片总功耗降低了40%。

  LAM和清华大学合作,设立泛林集团-清华大学微电子论文奖,捐赠实验室设备,提供就业机会。

  落后就要挨打,现如今这句话可以理解为,在电子信息科技领域,落后就要受到技术封锁,并且国家安全受到威胁。国家想要不被扼住咽喉,就必须要发展关键技术,不能受制于人。近些年来我国在应用领域取得了巨大的成功,以BAT为代表的企业引领了进20年来的科技潮流,但是在基础科学领域,我们还没有做到自强,比如关键的芯片技术,包括设计和制造领域,而制造领域的成功取决于设备。

  政府对于半导体产业的政策支持力度正不断加强。继02 专项、《国家集成电路产业发展推进纲要》等重磅政策之后,今年3 月的十三届全国人大一次会议上,李总理在政府工作报告中论述实体经济发展时,将集成电路产业放在实体经济的首位进行强调。3 月底财政部又发布了《关于集成电路生产企业有关企业所得税政策问题的通知》,在税收上给予集成电路企业优惠,展现出政府对于发展半导体产业的坚决态度。

  大基金二期募集在即,全国产业基金总额将破万亿。大基金一期计划募资1000 亿,实际募集资金1387 亿元,实际投资额超1000 亿元,此外大基金还撬动了超3600 亿的地方产业基金,合计5000 亿的半导体产业基金为高资本投入的半导体产业发展提供了强力的支持。目前第二期大基金正在成立中,年内将完成募集,预计募资1500-2000 亿(更有国外媒体透露募资额可能达3000 亿)。按照1:3 的撬动比计算,二期大基金还将撬动4500-6000 亿的地方产业基金,全国半导体产业基金总额将破万亿。中微半导体、上海微电子长辈和北方华创等企业作为国内最有希望担负起半导体设备国产替代任务的公司,必然会充分受益于政府对行业支持的红利。

  财政部、国家税务总局和科技部联合,正式在财政部网站上发布研发费用抵扣新政,提高企业研发费用税前扣除比例即从原有的50%提高到75%,同时,将抵扣范围从原有的科技型企业扩大到所有企业。利润增幅最大的企业主要集中于机械、计算机、电子元器件等行业。实际上,在一些行业中尤其是IC行业,深受研发费用之苦,每年研发费用甚至吃掉一半以上营业收入,而此次提高企业研发费用税前扣除比例,无疑将释放减税降负的红利。

  设备制造商在半导体产业链的上游位置,为生产线年全球半导体设备市场销售额达到了492.4亿美元,设备销售额增长率平均每年都有超过10%的稳定增长率。从2016年开始到2020年全球陆续有62座晶圆厂陆续建设,此外国内在建和计划建设共26座12英寸晶圆厂,占全球比例为42%。所以这几年有一个建厂小高峰,对设备需求巨大,国际上企业的设备产量有限,此时是一个扩大市场份额好时机。

  全球半导体设备市场销售额在2017年达到了492.4亿美元,从2016年开始到2020年全球陆续有62座晶圆厂陆续建设,设备销售额增长率平均每年都有超过10%的稳定增长率,对设备的需求将在这几年达到一个小高峰。

  从实际国内市场来看国产设备企业2018-2020年每年仍旧有50-70亿美元潜在市场份额可以争取

  再看国内市场,从2013年开始国内市场销售额持续增长,每年同比增长率维持在20%以上,远远超过国际市场10%以上的增长率。2016年到2020年之间中国大陆将有26做晶圆厂陆续建设投产,占全球在建晶圆厂数目的42%,成为全球新建晶圆厂最为积极的地区。此外从国内市场设备销售额占据国际市场比例可以看出,这一数字在缓慢稳定上升。2016年中国半导体设备市场64.6亿美元,2017年销售额82.3亿美元,据SEMI预测2018年将会达到113亿。近三年每年有接近30%增长率。

  新建晶圆厂购入设备的成本会占到生产线英寸晶圆厂正在建设,按照SEMI预测2018年百亿美元的设备市场计算,其中晶圆制造环节占比80%,制造环节的光刻机占比30%,剩余市场为国产设备的国内潜在总市场,100*80%*(1-30%)=56亿。由此推断2018-2020年每年仍旧有50-70亿美元潜在市场份额。

  国产设备凭借深厚的技术积累填补了国内半导体设备领域的多项技术空白,产品已经能够满足12 英寸、90-28nm 制程的产线生产要求,部分设备批量进入中芯国际等国内主流集成电路生产线年,设备需求将迎来数条90/65/55/40nm制程产线年开始的设备采购高峰,以及国内存储厂商将在2020年前后扩产的设备采购高峰。

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  U04反相器利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL门电路相似的操作速度,同时保持了标准CMOS集成电路的低功耗.MM74HCU04是一款无缓冲反相器。它具有高抗扰度,并且能够驱动15 LS-TTL负载.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:7 ns 15 LS-TTL负载的高扇出 静态功耗:室温条件下最大值为10μA 低输入电流:1μA,最大值 应用 本产品是一般用途,适用于许多不同的产品应用。 电路图、引脚图和封装图...

  T164采用先进的硅栅极CMOS技术。具有标准CMOS集成电路的高抗噪能力和低功耗。它还具有可比低功率肖特基器件的速度。该8位移位寄存器具有门控串行输入和CLEAR。每个寄存器位为一个D类主/从触发器。输入A& B允许对涌入数据的全面控制。在一个或两个输入上的一个低电平将禁止新数据的进入且将第一个触发器在下一个时钟脉冲时重置至低电平。在一个输入的高电平使能其他输入,将决定第一个触发器的状态。串行输入的数据在时钟为高电平或低电平时将被改变,但是仅有满足设置和保持时间要求的信息进入。在正向电压在时钟脉冲转换期间,数据串行转移入和移出8位寄存器。清零与时钟无关,通过清零输入的低电平实现.74HCT逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS MM.7HCT器件专用于TTL和NMOS组件与标准CMOS器件之间的接口。另外,这些器件也是LS-TTL器件的插件替换件,而且可用于降低现有设计的功耗。 特 典型传播延迟:20 ns 低静态电流:40μA,最大值(74HCT系列) 低输入电流:1μA,最大值 10 LS-TTL负载的高扇出 兼容TTL输入 应用 此产品是一般用途,适用于许多不...

  595高速移位寄存器采用先进的硅栅极CMOS技术。此器件具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。它包含一个8位串进并移位寄存器,可以馈入8位D型存储寄存器。该存储寄存器具有8个3态输出。移位寄存器和存储寄存器都提供独立的时钟。移位寄存器具有直接覆盖清零,串行输入和串行输出(标准)引脚,以用于级联。移位寄存器和存储寄存器都使用正边沿触发时钟。如果两个时钟连接在一起,则移位寄存器状态始终比存储寄存器提前一个时钟脉冲.74HC逻辑系列在速度,功能和引脚输出上与标准74LS逻辑系列兼容。所有输入通过钳位至V CC 和接地的内部二极管加以保护,以免因静电放电而受损。 特性 低静态电流最大值(最大值) / ul

  带存储功能的8位串进并出移位寄存器 宽工作电压范围2V-6V 可级联 移位寄存器具有直接清零引脚 保证移位频率:DC到30MHz 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用程序。 电路图、引脚图和封装图...

  164采用先进的硅栅极CMOS技术。具有标准CMOS集成电路的高抗噪能力和低功耗。它还具有可比低功率肖特基器件的速度。该8位移位寄存器具有门控串行输入和CLEAR。每个寄存器位为一个D类主/从触发器。输入A& B允许对涌入数据的全面控制。在一个或两个输入上的一个低电平将禁止新数据的进入且将第一个触发器在下一个时钟脉冲时重置至低电平。在一个输入的高电平使能其他输入,将决定第一个触发器的状态。串行输入的数据在时钟为高电平或低电平时将被改变,但是仅有满足设置和保持时间要求的信息进入。在正向电压在时钟脉冲转换期间,数据串行转移入和移出8位寄存器。清零与时钟无关,通过清零输入的低电平实现.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型工作频率:50 MHz 典型传播延迟:19 ns(调时至Q) 宽工作电压范围:2V至6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电源电流:80μA,最大值(74HC系列) 10 LS-TTL负载的高扇出 应用 该产品是一般用途,适用于许多不同的应用...

  373高速8路D类锁存采用先进的硅栅极CMOS技术。它们具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。由于具有大输出驱动能力和3态功能,这些器件非常适合与总线组织系统中的总线 LATCH ENABLE(锁存使能)输入为高电平时,Q输出端将要遵照D输入端。当LATCH ENABLE变为低电平时,D输入端的数据将保留在输出端,直到LATCH ENABLE再次返回高电平。当高逻辑电平应用于OUTPUT CONTROL(输出控制)输入端时,所有输出端进入高阻抗状态,不管其他输入端存在什么信号,也不管存储元件的状态如何.74HC逻辑系列在容量。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:18 ns 宽工作电压范围2至6V 低输入[0]

  输出驱动能力:15 LS-TTL负载 应用 此产品是一般用法,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...

  573高速八路D型锁存器采用先进的硅栅极P井CMOS技术。它们具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。由于具有大输出驱动能力和3态功能,这些器件非常适合与总线组织系统中的总线线路接口。当LATCH ENABLE(LE)输入为高电平时,Q输出端将要遵照D输入端。当LATCH ENABLE变为低电平时,D输入端的数据将保留在输出端,直到LATCH ENABLE再次返回高电平。当高逻辑电平应用于输出控制OC输入端时,所有输出端进入高阻抗状态,不管其他输入端存在什么74HC逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 。信号,也不管存储元件的状态如何。和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:18 ns 宽工作电压范围2至6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电流:80μA,最大值(74HC系列) 兼容总线导向系统 输出驱动能力:15 LS-TTL负载 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...

  T74利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL等效部件相似的操作速度。它具有标准CMOS集成电路的高抗噪能力和低功耗特点,可以驱动10个LS-TTL负载。该触发器具有独立的数据,预设,清零和时钟输入以及Q和Q#输出。数据输入上的逻辑电平在时钟脉冲正向转换期间被传输到输出。预设和清零与时钟无关,通过适当输入端的低电平实现.74HCT逻辑系列在速度,功能和引脚排列上与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC...

  175高速D型触发器带互补输出,采用先进硅栅极CMOS技术达到标准CMOS集成电路的高抗干扰度和低功耗以及驱动10个LS-TTL负载的能力.MM74HC175 D输入信息在时钟脉冲的正向转换边沿被传输至Q和Q#输出。每个触发器都由外部提供原码和补充输入。所有四个触发器都由一个共用时钟和一个共用CLEAR控制。清零由CLEAR输入的一个负脉冲完成。所有四个Q输出被清零至逻辑“0”,所有四个Q#输出设为逻辑“1”.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:15 ns 宽工作电压范围:2-6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电源电流:80μA,最大值(74HC) 高输出驱动电流:4 mA最小值(74HC) 应用 此产品是一般的用法,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...

  574高速八通道D型触发器采用先进的硅栅极P井CMOS技术。它们具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。由于具有大输出驱动能力和3态功能,这些器件非常适合与总线组织系统中的总线线路接口.D输入端符合设置和保持时间要求的数据在时钟(CK)输入的正向转换期间传输到Q输出。当高逻辑电平应用于OUTPUT CONTROL(输出控制)输入端时,所有输出端进入高阻抗状态,不管其他输入端存在什么信号,也不管存储元件的状态如何。 74HC逻辑系列在速度,功能和引脚排列上与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延:18 ns 宽工作电压范围2V-6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电流:80μA,最大值 兼容总线导向系统 输出驱动能力:15 LS-TTL负载 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用程序。 电路图、引脚图和封装图...

  74A利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL等效部件相似的操作速度。它具有标准CMOS集成电路的高抗噪能力和低功耗特点,可以驱动10个LS-TTL负载。该触发器具有独立的数据,预设,清零和时钟输入以及Q和Q#输出。数据输入上的逻辑电平在时钟脉冲正向转换期间被传输到输出。预设和清零与742C逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:20 ns 宽电源范围:2-6V 低静态电流:40μA,最大值(74HC系列) 低输入电流: 1μA,最大值 10 LS-TTL负载的高扇出 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...

  574高速八通道D型触发器采用先进的硅栅极P井CMOS技术。它们具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。由于具有大输出驱动能力和3态功能,这些器件非常适合与总线组织系统中的总线线路接口。在这里(CK)输入的正向转换过程中,D输入端的数据(符合设置和保持时间的要求)被传输到Q输出端。当高逻辑电平应用于OUTPUT CONTROL(输出控制)输入端时,所有输出端进入高阻抗状态,不管其他输入端存在什么信号,也不管74储逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:20 ns 宽工作电压范围2-6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电流:80μA,最大值 兼容总线导向系统 输出驱动能力:15 LS-TTL负载 应用 此产品是一般用法,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...

  线性稳压器是单片集成电路,设计用作固定电压调节器,适用于各种应用,包括本地,卡上调节。这些稳压器采用内部限流,热关断和安全区域补偿。通过充分的散热,它们可以提供超过1.0 A的输出电流。虽然主要设计为固定电压调节器,但这些器件可以与外部元件一起使用,以获得可调电压和电流。 特性 输出电流超过1.0 A 无需外部元件 内部热过载保护 内部短路电流限制 输出晶体管安全区域补偿 输出电压提供1.5%,2%和4%容差 无铅封装可用 应用 可用于Surface Mount D 2 PAK和Standard 3 -Lead Transistor Packages 电路图、引脚图和封装图...

  MC33160 线系列是一种线性稳压器和监控电路,包含许多基于微处理器的系统所需的监控功能。它专为设备和工业应用而设计,为设计人员提供了经济高效的解决方案,只需极少的外部组件。这些集成电路具有5.0 V / 100 mA稳压器,具有短路电流限制,固定输出2.6 V带隙基准,低电压复位比较器,带可编程迟滞的电源警告比较器,以及非专用比较器,非常适合微处理器线路同步。 其他功能包括用于低待机电流的芯片禁用输入和用于过温保护的内部热关断。 这些线引脚双列直插式热片封装,可提高导热性。 特性 5.0 V稳压器输出电流超过100 mA 内部短路电流限制 固定2.6 V参考 低压复位比较器 具有可编程迟滞的电源警告比较器 未提交的比较器 低待机当前 内部热关断保护 加热标签电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...

  530双路降压DC-DC转换器是一款单片集成电路,专用于下游电压轨的汽车驾驶员信息系统。两个通道均可在0.9 V至3.3 V范围内进行外部调节,并可提供高达1600 mA的电流。转换器的工作频率为2.1 MHz,高于敏感的AM频段,并且相位差180°,以减少轨道上的大量电流需求。同步整流提高了系统效率。 NCV896530提供汽车电源系统的其他功能,如集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。该器件还可以与2.1 MHz范围内的外部时钟信号同步。 NCV896530采用节省空间的3 x 3 mm 10引脚DFN封装。 特性 优势 同步整改 效率更高 2.1 MHz开关频率 电感更小,没有AM频段发射 热限制和短路保护 故障保护 2输出为180°异相 降低输入纹波 内部MOSFET 降低成本和解决方案规模 应用 音频 资讯娱乐t 仪器 电路图、引脚图和封装图...

  NCP1532 降压转换器 DC-DC 双通道 低Iq 高效率 2.25 MHz 1.6 A.

  2双级降压DCDC转换器是一款单片集成电路,专用于为采用1节锂离子电池或3节碱性/镍镉/镍氢电池供电的便携式应用提供新型多媒体设计的核心和I / O电压。两个通道均可在0.9V至3.3V之间进行外部调节,每个通道可提供高达1.6A的电流,最大电流为1.0A。转换器以2.25MHz的开关频率运行,通过允许使用小电感(低至1uH)和电容器并以180度异相工作来减小元件尺寸,从而减少电池的大量电流需求。自动切换PWM / PFM模式和同步整流可提高系统效率。该器件还可以工作在固定频率PWM模式,适用于需要低纹波和良好负载瞬变的低噪声应用。其他功能包括集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。该器件还可以与2.25 MHz范围内的外部时钟信号同步。 NCP1532采用节省空间的超薄型3x3 x 0.55 mm 10引脚uDFN封装。 特性 优势 97%效率,50uA静态电流,0.3 uA关断电流 延长电池寿命和播放时间 2.25MHz开关频率 允许使用更小的电感和电容 模式引脚操作:仅在轻载或PWM模式下自动切换PWM / PFM模式 允许用户在轻载或低噪声和纹波性能之间选择低功耗 可调输出电压0.9V至3.3V 复位输出引脚...

  2B降压型DC-DC转换器是一款单片集成电路,针对便携式应用进行了优化,采用单节锂离子电池或三节碱性/镍镉/镍氢电池供电。该器件采用0.9 V至3.3 V的可调输出电压,可提供高达600 mA的电流。它使用同步整流来提高效率并减少外部部件数量。该器件还内置3 MHz(标称)振荡器,通过允许更小的电感器和电容器来减小元件尺寸。自动切换PWM / PFM模式可提高系统效率。其他功能包括集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。 NCP1522B采用节省空间的薄型TSOP5和UDFN6封装。 特性 优势 94%效率,50 uA静态电流,0.3 uA关断电流 延长电池寿命和播放时间 3.0 MHz开关频率 允许使用更小的电感(低至1uH)和电容 轻负载条件下PWM和PFM模式之间的自动切换 轻载时的低功耗 可调输出电压0.9V至3.3V 应用 终端产品 电源f或应用处理器 核心电压低的处理器电源 智能手机手机和掌上电脑 MP3播放器和便携式音频系统 数码相机和摄像机 电路图、引脚图和封装图...

  NCP1529 降压转换器 DC-DC 高效率 可调节输出电压 低纹波 1.7 MHz 1 A.

  9降压型DC-DC转换器是一款单片集成电路,适用于由一节锂离子电池或三节碱性/镍镉/镍氢电池供电的便携式应用。该器件可在外部可调范围为0.9 V至3.9 V或固定为1.2 V或1.35 V的输出范围内提供高达1.0 A的电流。它使用同步整流来提高效率并减少外部元件数量。该器件还内置1.7 MHz(标称)振荡器,通过允许使用小型电感器和电容器来减小元件尺寸。自动切换PWM / PFM模式可提高系统效率。 其他功能包括集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。 NCP1529采用节省空间的扁平2x2x0.5 mm UDFN6封装和TSOP-5封装。 特性 优势 96%效率,28 uA静态电流,0.3 uA关断电流 延长电池续航时间和播放时间 1.7 MHz开关频率 允许使用更小的电感和电容器 在轻负载条件下自动切换PWM和PFM模式 轻载时的低功耗 可调输出电压0.9V至3.9V 即使在PFM模式下,同类最佳低纹波 应用 终端产品 电池供电应用电源管理 核心电压低的处理器电源 USB供电设备 低压直流电源电源管理 手机,智能手机和掌上电脑 MP3播放器和便携式音频系统 电路图、引脚图和封装图...

  系列降压开关稳压器是单片集成电路,非常适合简单方便地设计降压型开关稳压器(降压转换器)。该系列的所有电路均能够以极佳的线 A负载。这些器件提供3.3 V,5.0 V,12 V,15 V的固定输出电压和可调输出版本。 此降压开关稳压器旨在最大限度地减少外部元件的数量,从而简化电源设计。标准系列电感器针对LM2575进行了优化,由多家不同的电感器制造商提供。 由于LM2575转换器是一种开关电源,与传统的三端线性稳压器相比,其效率要高得多,特别是在输入电压较高的情况下。在许多情况下,LM2575稳压器消耗的功率非常低,不需要散热器,也不会大幅降低其尺寸。 LM2575的特性包括在指定的输入电压和输出负载条件下保证4%的输出电压容差,以及振荡器频率的+/- 10%(0C至125C的+/- 2%)。包括外部关断,具有80 uA典型待机电流。输出开关包括逐周期电流限制,以及在故障条件下进行全保护的热关断。 特性 3.3 V,5.0 V,12 V ,15 V和可调输出版本 可调版本输出电压范围为1.23 V至37 V +/- 4%最大线 A输出电流 宽输入电压范围:4.75 V至40 V 仅需要4个外部元件 ...


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